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分立器件高温反向偏压测试系统

在科技日新月异的当下，集成电路的市场化进程不断加速，各种元器件已经渗透到我们生活的各个领域。无论是航空航天、智能汽车等大型领域，还是手机、电脑、手表、电视等日常消费品，都离不开元器件的应用。这些元器件与我们的生活密切相关。

然而，元器件也可能带来一些风险。市场上不时发生的手机炸机事件、汽车故障、电路板着火等问题，大多与器件质量有关。因此，筛选出品质高、可靠性高的器件成为各大厂家的首要任务。

高温反向偏压试验（High Temperature Reverse Bias，简称HTRB）是分立器件可靠性测试中重要的项目之一。该试验在高温条件下，对被测样品连续施加一定规格的反向电压，并要求其反向漏电流能够稳定在规定范围内。通过模拟器件在长期运行条件下的耐受能力，可以推断器件在实际使用中的寿命和应力大小。

在器件量产或使用前，按照实际应用场景进行模拟实验，可以提前了解器件的应力情况，从而避免因应力或环境因素导致的失效和影响。

高温反向偏压试验的实验目的在于暴露与时间和应力相关的器件缺陷，测量器件是否符合规定标准要求，并检查封装或晶圆自身是否存在质量问题。

该试验可覆盖车规、工规及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、JESD 22-A108、JEDEC、JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相关标准要求。

高温反向偏压试验适用于多种半导体分立器件，包括二极管、三极管、MOSFET管（增强型、耗尽型）、达林顿管、可控硅和IGBT等，并适用于多种封装类型。