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高温反偏试验（High TemperatureReverse Bias）,简称HTRB，是一种用于评估半导体器件在高温环境下耐受反向偏压能力的重要测试方法。这种测试通常用于分立器件，如MOSFET、IGBT、二极管（DIODE）、双极型晶体管（BJT）、晶闸管（SCR）以及GaN等宽禁带半导体器件。HTRB测试的目的是模拟器件在实际应用中可能遇到的高温和高电压应力，以评估其长期稳定性和可靠性。
在HTRB测试中，器件会被施加一个持续的反向电压，并且这个电压会高于器件正常工作时的电压水平。同时，器件的温度会被控制在高于其额定工作温度的水平，通常是150°C、175°C或其他更高的温度。这种高温条件可以加速器件的老化过程，使得测试在相对较短的时间内完成，从而更快地评估器件的长期性能。
HTRB测试的关键参数包括：
1. 测试电压：根据器件的类型和等级，施加的反向电压会有所不同。
2. 测试温度：高温条件通常设置在器件的额定工作温度之上，以加速老化过程。
3. 时间：HTRB测试可以持续数小时、数天甚至数周，以确保足够的时间来评估器件的长期稳定性。
4. 漏电流监控：在整个测试期间，漏电流会被连续监控，以确定其是否随时间增加而超出可接受的水平。
5. 失效判定：如果漏电流超过预定的失败阈值，或者器件出现其他明显的性能退化，测试将被判定失败。
标准符合性 | ||
本系统试验线路及功能符并满足 MIL-STD-750D、GJB128A、AEC-Q101 等标准试验要求。 | ||
系统适用性 | ||
系统能满足各种封装形式的二极管、三极管、场效应管、可控硅、桥堆和 IGBT 单管/模块等半导体分立器件的高温偏置试验(HTRB/HTGB)和老化筛选。 该系统一体化程度高，结构紧凑，内部试验通道与通道间隔增大，适用于办公楼或场地较为紧张的实验室内使用。 | ||
试验区域和试验通道 | ||
系统分区 | 整机每个电源试验区均可试验不同批次不同输入电压的产品； | |
单区控制 | 每个电源试验区可以单独控制启动、暂停、继续、停止运行，互不干扰； | |
设计方式 | 系统采用一一对应控制方式设计，每个试验通道老化试验板对应一块ARM芯片控制的控制检测板。任意单元的故障不影响其它正常试验单元的工作； | |
容量变化 | 单板检测工位数为40工位，单工位根据用户实际使用需要可并联1-3个器件进行多倍容量扩容，扩容后，并联工位检测总漏电流； 由于诸多不确定性比如socket的尺寸，单板老化的实际安装工位需在实际设计生产过程中确定。 | |
高温试验箱 | ||
温度范围 | RT~200℃ | |
温度偏差 | ≤±1.5℃（空载） | |
温度均匀性 | ≤±2℃（空载，有效试验空间内） | |
温度波动性 | ≤±0.5℃ | |
温度过冲 | ≤3℃ | |
控制方式 | 上位机程控＋面板手动控制 | |
温度记录 | 计算机实时检测、记录试验箱温度，描述全过程试验温度曲线； | |
保护功能 | 超温保护、报警装置和漏电保护装置；超温报警时，系统应能切断试验 电源及高温试验箱的供电电源； | |
老化试验电源 | ||
配置 | 系统标为每个电源试验区配置一台1200W高低压试验电源，5V~300V电源，8块板/40颗 | |
电源分辨率及 输出精度 | 电源电压量程≤20V | 分辨率为0.001V；电压输出显示精度≤0.1%+2LSB |
电源电压量程≤200V | 分辨率为0.01V； 压输出显示精度≤0.1%+2LSB | |
电源电压量程≤2000V | 分辨率为0.1V； 输出显示精度≤0.1%+2LSB | |
电压检测 | 电压检测范围 | 0.0～1000V |
电压检测分辨率 | 0.1V | |
电压检测精度 | ±（0.5% rdg.+ 1LSB ) | |
反向电流检测 | 反向电流检测范围 | 0.1μA～50mA |
反向电流计量起始点 | 0.5μA | |
反向电流分辨率 | 0.1μA | |
反向电流检测精度 | ±（1% rdg.+0.1）μA | |
高温反偏试验（High TemperatureReverse Bias）,简称HTRB，是一种用于评估半导体器件在高温环境下耐受反向偏压能力的重要测试方法。这种测试通常用于分立器件，如MOSFET、IGBT、二极管（DIODE）、双极型晶体管（BJT）、晶闸管（SCR）以及GaN等宽禁带半导体器件。HTRB测试的目的是模拟器件在实际应用中可能遇到的高温和高电压应力，以评估其长期稳定性和可靠性。
在HTRB测试中，器件会被施加一个持续的反向电压，并且这个电压会高于器件正常工作时的电压水平。同时，器件的温度会被控制在高于其额定工作温度的水平，通常是150°C、175°C或其他更高的温度。这种高温条件可以加速器件的老化过程，使得测试在相对较短的时间内完成，从而更快地评估器件的长期性能。
HTRB测试的关键参数包括：
1. 测试电压：根据器件的类型和等级，施加的反向电压会有所不同。
2. 测试温度：高温条件通常设置在器件的额定工作温度之上，以加速老化过程。
3. 时间：HTRB测试可以持续数小时、数天甚至数周，以确保足够的时间来评估器件的长期稳定性。
4. 漏电流监控：在整个测试期间，漏电流会被连续监控，以确定其是否随时间增加而超出可接受的水平。
5. 失效判定：如果漏电流超过预定的失败阈值，或者器件出现其他明显的性能退化，测试将被判定失败。
标准符合性 | ||
本系统试验线路及功能符并满足 MIL-STD-750D、GJB128A、AEC-Q101 等标准试验要求。 | ||
系统适用性 | ||
系统能满足各种封装形式的二极管、三极管、场效应管、可控硅、桥堆和 IGBT 单管/模块等半导体分立器件的高温偏置试验(HTRB/HTGB)和老化筛选。 该系统一体化程度高，结构紧凑，内部试验通道与通道间隔增大，适用于办公楼或场地较为紧张的实验室内使用。 | ||
试验区域和试验通道 | ||
系统分区 | 整机每个电源试验区均可试验不同批次不同输入电压的产品； | |
单区控制 | 每个电源试验区可以单独控制启动、暂停、继续、停止运行，互不干扰； | |
设计方式 | 系统采用一一对应控制方式设计，每个试验通道老化试验板对应一块ARM芯片控制的控制检测板。任意单元的故障不影响其它正常试验单元的工作； | |
容量变化 | 单板检测工位数为40工位，单工位根据用户实际使用需要可并联1-3个器件进行多倍容量扩容，扩容后，并联工位检测总漏电流； 由于诸多不确定性比如socket的尺寸，单板老化的实际安装工位需在实际设计生产过程中确定。 | |
高温试验箱 | ||
温度范围 | RT~200℃ | |
温度偏差 | ≤±1.5℃（空载） | |
温度均匀性 | ≤±2℃（空载，有效试验空间内） | |
温度波动性 | ≤±0.5℃ | |
温度过冲 | ≤3℃ | |
控制方式 | 上位机程控＋面板手动控制 | |
温度记录 | 计算机实时检测、记录试验箱温度，描述全过程试验温度曲线； | |
保护功能 | 超温保护、报警装置和漏电保护装置；超温报警时，系统应能切断试验 电源及高温试验箱的供电电源； | |
老化试验电源 | ||
配置 | 系统标为每个电源试验区配置一台1200W高低压试验电源，5V~300V电源，8块板/40颗 | |
电源分辨率及 输出精度 | 电源电压量程≤20V | 分辨率为0.001V；电压输出显示精度≤0.1%+2LSB |
电源电压量程≤200V | 分辨率为0.01V； 压输出显示精度≤0.1%+2LSB | |
电源电压量程≤2000V | 分辨率为0.1V； 输出显示精度≤0.1%+2LSB | |
电压检测 | 电压检测范围 | 0.0～1000V |
电压检测分辨率 | 0.1V | |
电压检测精度 | ±（0.5% rdg.+ 1LSB ) | |
反向电流检测 | 反向电流检测范围 | 0.1μA～50mA |
反向电流计量起始点 | 0.5μA | |
反向电流分辨率 | 0.1μA | |
反向电流检测精度 | ±（1% rdg.+0.1）μA | |
