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高温高湿反偏老化测试系统（H3TRB）是一种用于评估半导体器件在高温、高湿和反偏电压环境下的可靠性的设备。该系统可以进行高温高湿（双85）老化测试，通过模拟器件在实际应用中可能遇到的恶劣环境条件，来测试器件的耐久性和性能表现。
H3TRB 系统的工作原理：
高温高湿环境： 系统会提供一个高温（通常为 85℃-150℃）和高湿（通常为 85%RH-98%RH）的环境，模拟器件在实际应用中可能遇到的热湿环境。
反偏电压： 系统会对器件施加一个反向偏置电压，模拟器件在实际应用中可能遇到的电压应力。
长时间测试： 器件会在高温高湿和反偏电压的环境下进行长时间的测试，通常为几百小时甚至几千小时。
H3TRB 系统的应用：
半导体器件可靠性评估： 通过 H3TRB 测试，可以评估器件在高温高湿和反偏电压环境下的可靠性，并筛选出性能不合格的器件。
半导体器件老化筛选： H3TRB 测试可以用于老化筛选器件，将性能不稳定或寿命较短的器件筛选出来，确保器件的长期稳定性。
半导体器件寿命预测： 通过分析 H3TRB 测试结果，可以预测器件的寿命，并为器件的寿命管理提供依据。
产品选型表 | ||||
体 积 | 系统主机： 175cm(宽)×150cm(深)×190cm(高) | ☑ | ||
老化板存放箱： 58cm(宽)×63cm(深)×110cm(高) | ☑ | |||
试验类型 | H3TRB □ HTRB □ / HTGB □ | |||
试验容量 | 通道数 | 8通道□ / 16通道 | ||
试验工位 | 8×40=320工位 | □ / | 16×40=640工位 □ | |
试验条件 | 温湿度环境 | -20℃~+150℃ /20～98%RH □ | ||
试验电压 | 1000V □ / 1500V □ | |||
插板方式 | 横插板□ / 竖插板 □ | |||
重 量 | 550kg口 /800kg □ | |||
使用条件 | 交流输入： 380V/20KW □ ; / 220V/8KW □ | |||
去离子水：□ | 环境温度：(25±5)℃ 口 /25℃±10℃ □ | |||
无强干扰源：□ | 相对湿度：不大于80% □ / 不 大 于 5 0 % | |||
MTBF | 10000小时 口 / 8000小时 □ / 5000小时 口； | |||
适用标准 | GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 JESD22-A101 | |||
H3TRB（高温高湿反偏）测试适用于各种封装形式的半导体分立器件，包括
二极管：
整流二极管： 如硅整流二极管、肖特基二极管等
稳压二极管： 如齐纳二极管、TVS 管等
发光二极管： 如LED、激光二极管等
光敏二极管： 如光电二极管、光敏三极管等
三极管：
双极型三极管： 如NPN、PNP 型三极管
场效应管： 如MOSFET、JFET 等
可控硅：
晶闸管： 如普通晶闸管、双向晶闸管等
GTO（门极可关断晶闸管）
MCT（MOS控制晶闸管）
其他器件：
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）
IPM（智能功率模块）
光电耦合器
继电器
适用H3TRB测试的器件封装形式：
SMD 表面贴装器件： 如 SOP、QFN、QFP、BGA 等
通孔插件器件： 如 TO-92、TO-220、TO-3P、SOT-23 等
高温高湿反偏老化测试系统（H3TRB）是一种用于评估半导体器件在高温、高湿和反偏电压环境下的可靠性的设备。该系统可以进行高温高湿（双85）老化测试，通过模拟器件在实际应用中可能遇到的恶劣环境条件，来测试器件的耐久性和性能表现。
H3TRB 系统的工作原理：
高温高湿环境： 系统会提供一个高温（通常为 85℃-150℃）和高湿（通常为 85%RH-98%RH）的环境，模拟器件在实际应用中可能遇到的热湿环境。
反偏电压： 系统会对器件施加一个反向偏置电压，模拟器件在实际应用中可能遇到的电压应力。
长时间测试： 器件会在高温高湿和反偏电压的环境下进行长时间的测试，通常为几百小时甚至几千小时。
H3TRB 系统的应用：
半导体器件可靠性评估： 通过 H3TRB 测试，可以评估器件在高温高湿和反偏电压环境下的可靠性，并筛选出性能不合格的器件。
半导体器件老化筛选： H3TRB 测试可以用于老化筛选器件，将性能不稳定或寿命较短的器件筛选出来，确保器件的长期稳定性。
半导体器件寿命预测： 通过分析 H3TRB 测试结果，可以预测器件的寿命，并为器件的寿命管理提供依据。
产品选型表 | ||||
体 积 | 系统主机： 175cm(宽)×150cm(深)×190cm(高) | ☑ | ||
老化板存放箱： 58cm(宽)×63cm(深)×110cm(高) | ☑ | |||
试验类型 | H3TRB □ HTRB □ / HTGB □ | |||
试验容量 | 通道数 | 8通道□ / 16通道 | ||
试验工位 | 8×40=320工位 | □ / | 16×40=640工位 □ | |
试验条件 | 温湿度环境 | -20℃~+150℃ /20～98%RH □ | ||
试验电压 | 1000V □ / 1500V □ | |||
插板方式 | 横插板□ / 竖插板 □ | |||
重 量 | 550kg口 /800kg □ | |||
使用条件 | 交流输入： 380V/20KW □ ; / 220V/8KW □ | |||
去离子水：□ | 环境温度：(25±5)℃ 口 /25℃±10℃ □ | |||
无强干扰源：□ | 相对湿度：不大于80% □ / 不 大 于 5 0 % | |||
MTBF | 10000小时 口 / 8000小时 □ / 5000小时 口； | |||
适用标准 | GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 JESD22-A101 | |||
H3TRB（高温高湿反偏）测试适用于各种封装形式的半导体分立器件，包括
二极管：
整流二极管： 如硅整流二极管、肖特基二极管等
稳压二极管： 如齐纳二极管、TVS 管等
发光二极管： 如LED、激光二极管等
光敏二极管： 如光电二极管、光敏三极管等
三极管：
双极型三极管： 如NPN、PNP 型三极管
场效应管： 如MOSFET、JFET 等
可控硅：
晶闸管： 如普通晶闸管、双向晶闸管等
GTO（门极可关断晶闸管）
MCT（MOS控制晶闸管）
其他器件：
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）
IPM（智能功率模块）
光电耦合器
继电器
适用H3TRB测试的器件封装形式：
SMD 表面贴装器件： 如 SOP、QFN、QFP、BGA 等
通孔插件器件： 如 TO-92、TO-220、TO-3P、SOT-23 等
